多重图形

多重图形（Multiple patterning）是指一种在半导体制造过程中的技术。在光刻过程中使用了多重图形曝光增强了制作图形的密度。

尽管极紫外光刻将在下一代光刻中作为一个选项，但是这个仍然需要额外一次曝光。

中心距分离

多重图形的最简单形式是将图形分离成二个或者三个部分。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最终会合并形成最终的图层。这种方法有时称为中心距分离，也会被称为光照-刻蚀-光照-刻蚀（LELE）。

这种技术用于20纳米制程、14纳米制程等。额外暴光的成本在相关制程中可以承受。一个重要的关注点是多次暴光中的图形交叠问题。自对准多重暴光技术成功的引入解决这一问题。

侧壁图像转移
多重图形介绍

侧壁是一个通过将预图形两边淀积而产生的物质。

由于侧壁使用的是hardmask材料，它们的后刻蚀图形质量非常重要。

公司逻辑工艺最小金属间距(MMP)栅间间距 (CGP)MMP*CGPCGP:MMP ratio最先进技术量产开始时间
Intel10nm36 nm[1]54 nm[1]1944 nm21.5SAQP[1][2]2017年末[3]
TSMC7nm40 nm57 nm[4]2280 nm21.425LELELE[5]2017年初[6]
Samsung10LPE48 nm[7]64 nm[7]3072 nm21.33LELELE[8]2016年末
GlobalFoundries7LP40 nm[4]56 nm[4]2240 nm21.4LELELE,[9] SADP[4]2018年末[9]

参考资料
  1. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-05）.
  2. (PDF). [2017-08-25]. （原始内容存档 (PDF)于2020-12-09）.
  3. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-04-04）.
  4. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-03-30）.
  5. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-12-01）.
  6. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-04）.
  7. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-12-30）.
  9. . [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-08）.
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