外延 (晶体)

磊晶（英語：），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓時，外延尤其重要。