移动DDR

移动DDR(英文:Mobile DDR)(也称MDDRLow Power DDRLPDDR)是DDR SDRAM的一種,專門用於移動式電子產品,例如智能電話等。

Mobile DDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8

DDR内存从DDRDDR2、DDR3发展到DDR4,频率不断升高、电压不断降低,但反應時間不断变大。如今的DDR4内存最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚可提供2Gbps(256MB/s)的带宽,拥有4266MT/s的频率,内存容量最大可达128GB,运行电压正常可降至1.1V~1.2V。

相对于DDR内存,MDDR具有低功耗、高可靠性的特点,目前韩国三星电子美光科技(Micron Technology)等公司已掌握该项技术。

MDDR的运行电压(工作电压)低于DDR的标准电压,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取速度和外部传输速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。

LPDDR2

一个新的JEDEC标准JESD209-2F 页面存档备份,存于定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容,但类似:

  • LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1),
  • LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2),或是
  • LPDDR2-N: 非易失性(NAND)内存。

低功耗狀態基本相似,LPDDR,一些額外的部分陣列更新選項。

LPDDR2 命令编码[1]
CKCA0
(RAS)
CA1
(CAS)
CA2
(WE)
CA3CA4CA5CA6CA7CA8CA9操作
HHHNOP
HHLHH預先充電所有的 banks
HHLHLBA2BA1BA0預先充電一個 bank
HHLHA30A31A32BA2BA1BA0Preactive
(LPDDR2-N only)
A20A21A22A23A24A25A26A27A28A29
HHLL突發中止
HLHreservedC1C2BA2BA1BA0
(AP=auto-precharge)
APC3C4C5C6C7C8C9C10C11
HLLreservedC1C2BA2BA1BA0
(AP=auto-precharge)
APC3C4C5C6C7C8C9C10C11
LHR8R9R10R11R12BA2BA1BA0激活
(R0–14=Row address)
R0R1R2R3R4R5R6R7R13R14
LHA15A16A17A18A19BA2BA1BA0激活
(LPDDR2-N only)
A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14
LLHH更新所有的 banks
(LPDDR2-Sx only)
LLHL更新一個 bank
(Round-robin addressing)
LLLHMA0MA1MA2MA3MA4MA5Mode register read
(MA0–7=Address)
MA6MA7
LLLLMA0MA1MA2MA3MA4MA5Mode register write
(OP0–7=Data)
MA6MA7OP0OP1OP2OP3OP4OP5OP6OP7

列位址(Column address)C0 bit從未轉讓,並假定為零。 突發傳輸(Burst transfers)從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select(高時,一切都是NOP)和時鐘(clock)開啟CKE信號,操作像SDRAM。

  • 如果晶片被激活(active),它凍結(freeze)到位。
  • 如果該命令是一個NOP(CS低或CA0 - 2 = HHH),晶片空閒。
  • 如果該命令是一個更新命令(CA0 - 2 = LLH),晶片進入自更新狀態。
  • 如果該命令是一個突發終止(CA0 - 2 = HHL),晶片進入深斷電狀態。 (完全復位序列時,需要離開。)

LPDDR3

2012年5月,JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2,LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率,並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT(On Die Termination)與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝(package-on-package)與離散封裝兩種形式。

LPDDR4

2013年3月14日,JEDEC固態技術協會舉辦會議,探討未來移動裝置的新標準,如LPDDR4。

LPDDR4X

三星電子提出最新的LPDDR4標準,与LPDDR4相同,只是透過将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗,也就是更省电。

LPDDR5

2017年,JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格,但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。

JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209-5,低功耗雙倍數據速率5(LPDDR5)標準。

LPDDR5X

2021年7月28日,JEDEC發布了JESD209-5B,低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新,專注於提高性能、功耗和靈活性,以及新的LPDDR5X標準,這是對LPDDR5的可選擴展。

2021年11月9日,三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案,不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%[2]

2021年11月22日, 美光科技宣佈,聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM,並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。[3]

注釋

  1. (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, February 2010 [2010-12-30], (原始内容存档 (PDF)于2012-03-04)
  2. Frumusanu, Andrei. . Anandtech.com. 2021-11-09 [2021-11-09]. (原始内容存档于2022-11-29).
  3. . [2022-11-29]. (原始内容存档于2022-11-15).

外部連結

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