三星Exynos

三星Exynos（英語：）是韓國三星電子自家開發及生產的SoC、基於ARM架構的单片系统。2011年2月，三星电子正式将自家基于ARM架构处理器品牌命名为Exynos。Exynos由两个希腊语单词组合而来：Exypnos和Prasinos，分别代表“智能”与“环保”之意。Exynos系列处理器主要应用在智能手机和平板电脑等移动终端上。[1]

Samsung Exynos
產品化2000年至今
生产商
微架構
  • Cortex A7
  • Cortex A8
  • Cortex A9
  • Cortex A15
  • Cortex A53
  • Cortex A55
  • Cortex A57
  • Cortex A73
  • Cortex A75
  • Exynos Mongoose 1 (M1)
  • Exynos Mongoose 2 (M2)
  • Exynos Mongoose 3 (M3)
  • Exynos Mongoose 4 (M4)
  • Exynos Mongoose 5 (M5)
指令集架構
  • ARMv4
  • ARMv5
  • ARMv6
  • ARMv7
  • ARM8-A
制作工艺/製程90nm 至 4nm
核心数量
  • 1（Single）
  • 2（Dual）
  • 4（Quad）
  • 6（Hexa）
  • 8（Octa）
CPU主频范围66 MHz 至 2.73 GHz

Exynos絕大多數只用在三星Galaxy系列產品，除了魅族、vivo等中國廠商以外很少有其它厂商採用。[2]

2016年安兔兔第二季度的报告指出，Android阵营高跑分手机中多为使用骁龙和Exynos芯片。[3]

背景介绍

三星電子在CES 2013上发表了全新的双四核Exynos 5 Octa 芯片，但当时他们并没有给出太多的细节。产品将仍旧采用现有的 PowerVR 544MP3 GPU，工作频率为 533MHz。那就代表说用于 Exynos Dual 中的 ARM Mali T-604 可能无法满足 Exynos 5 Octa 的需求，而高规格的 T-658 则可能还没有准备就绪。若是从图形和 GPU 计算表现推测的话，Exynos 5 Octa 将可能会处于iPad (第三代)（A5X）和iPad (第四代)（A6X）之间。

三星電子向来有为自家设备研发处理器的历史，一些芯片也用在其它品牌的设备上，例如苹果前三代iPhone。

早期产品

在Exynos命名之前，三星電子的处理器型号夹杂字母和数字，比较复杂难记。不过由于iPhone系列的成功，由三星制造的处理器也获得了广泛关注。S5L8900处理器首先应用于2007年发表的第一代iPhone上，其后也使用在iPhone 3G上，该处理器主频为412MHz，当时搭配的GPU是PowerVR MBX-Lite。比较有名的则是S5PC100处理器，使用在2009年推出的iPhone 3GS和第三代iPod touch上，采用Cortex-A8架构，主频为667MHz，但是遇到大程序会自动超频至833MHz。

型號半導體技術CPU 指令集CPUGPU內存技術供货时间應用裝置
S3C44B0 0.25 μm CMOS ARMv4 66 MHz单核ARM7 (ARM7TDMI) LCD控制器 Juice Box
S3C2410 0.18 μm CMOS ARMv4 200/266 MHz单核ARM9 (ARM920T) LCD控制器 2003 HP iPAQ H1930/H1937/H1940/rz1717, HP 49g+/48gII/50g, Everex E500, E-TEN InfoTouch P300, Acer n30/n35/d155, Z22 (handheld)|Palm Z22, LG LN600, Typhoon MyGuide 3610 GO
S3C2440 0.13 μm CMOS ARMv4 300/400 MHz单核ARM9 (ARM920T) LCD控制器 2004 HP iPAQ rx3115/3415/3417/3715, Everex E900, Airis T470i/920/930, Acer n300/311,Typhoon MyPhone M500,Mio p550/P350/C710 Digi-Walker
S3C2443 ARMv4 400/533 MHz单核ARM9 (ARM920T) LCD控制器 4KB iSRAM 2007 Asus R300/R600/R700, Mio Digi-Walker (C620T/...), Mio Moov 2xx/3xx, LG LN8xx, JoinTech JPro Mini Laptop JL7220, Navigon 8300/8310
S3C2450 Samsung HKMG 65 nm ARMv5 400/533 MHz单核ARM9 (ARM926EJ) 2D图形加速 64KB SRAM 2008 Mio Moov 500/510/560/S568/580, Getac PS535F, MENQ EasyPC E720/E790, Archos Arnova 10, Hivision PWS0890AW,SMiT MTV-PND530 8GB
S3C2416 Samsung HKMG 65 nm ARMv5 400 MHz单核ARM9 (ARM926EJ) 2D图形加速 64KB SRAM 2009 iconX G310, HP Prime
S5L8900 Samsung HKMG 90 nm ARMv6 412 MHz单核ARM11 PowerVR MBX Lite eDRAM 2007 Apple iPhone、Apple iPhone 3G、Apple iPod touch 1、Apple iPod touch 2
S3C6410 Samsung HKMG 65 nm ARMv6 533/667/800 MHz单核ARM11 FIMG 3DSE: 2D/3D图形加速 DDR 2009 魅族 M8
S5P6442 Samsung HKMG 45 nm ARMv6 533/667 MHz单核ARM11 FIMG 3DSE: 2D/3D图形加速 2010
S5PC100 Samsung HKMG 65 nm ARMv7 667/833 MHz单核ARM Cortex-A8 PowerVR SGX535 LPDDR2, DDR2 2009 Apple iPhone 3GS、Apple iPod touch 3G

产品

Exynos 3系列
Nexus S上的Exynos 3110。

有一款芯片被“追封”了Exynos 3110的名号，它就是S5PC110，代号Hummingbird（蜂鸟）。这款在2009年末推出的芯片采用优化的Cortex-A8架构，它包含了32/32KB数据/指令一级缓存，512KB二级缓存，主频达到1.0 GHz。拥有独立的硬解视频子系统PowerVR VXD370，支持 H.264、VC-1、MPEG4等多格式视频格式 ，最高到1080P。同时内含HDMI1.3接口，能将手机移动产品下载或拍摄的多媒体内容传送到其它多媒体显示设备上进行播放。该处理器被用在了Nexus S，魅族M9，三星GT-S8500 Wave，三星Galaxy Tab，三星Galaxy S，苹果iPhone4（其电路经过少许优化改良）等产品上面。也是Exynos系列中唯一的一款单核的芯片。

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率 (GHz)
Exynos 3 Single[4]
(previously S5PC110, Hummingbird, Exynos 3110)		 45 nm ARMv7 Cortex-A811.0–1.2 PowerVR SGX540 @ 200 MHz; 3.2 GFLOPS[5] 32-bit dual-channel 200 MHz LPDDR, LPDDR2, or DDR2 2010 1 GHz:
Samsung Galaxy S line, Samsung Wave S8500, Samsung Wave II S8530, Samsung Galaxy Tab, Samsung Droid Charge, Samsung Exhibit 4G, Google Nexus S, Meizu M9, Samsung Stratosphere

1.2 GHz:

Samsung Infuse 4G
Exynos 2 Dual
(Exynos 3250)		 45 nm Cortex-A721.0 Mali-400 MP2 @ 400MHz 暂无资料 2013 Samsung Gear 2
Exynos 3 Quad
(Exynos 3470)[6]		 28 nm Cortex-A741.4 Mali-400MP4 @ 450 MHz 32-bit dual-channel LPDDR3 2014 Samsung Galaxy S5 Mini, Samsung Galaxy Light,Samsung Galaxy Tab 4
Exynos 3 Quad
(Exynos 3475)		 28 nm Cortex-A741.3 Mali-T720 @ 600 MHz 32-bit dual-channel LPDDR3 2015 Samsung Galaxy J2、Samsung Galaxy Folder、Samsung Galaxy On5、Samsung Galaxy On7、Samsung Galaxy Tab E

Exynos 4系列
Samsung Galaxy S II上的Exynos 4210。
Samsung Galaxy S III上的Exynos 4 Quad (4412)。

2011年推出的Exynos 4210才是Exynos系列的第一款产品，它之前被人熟知的名字是Orion（猎户座）。Exynos 4210采用45nm制程，拥有两枚主频为1.2 GHz的Cortex-A9通用处理核心，拥有32/32 KB I/D Cache, 1 MB L2 Cache，并且集成ARM Mali-400 MP图形处理核心。在视频方面，Exynos 4210支持单路WXGA和双路WSVGA视频输出，支持HDMI v1.3a高清标准，可以拍摄1080p、30fps标准高清视频；Exynos 4210提供了6.4GB/s的内存带宽，支持LPDDR2/DDR2/DDR3内存。代表产品有三星Galaxy Tab 7.7、Galaxy S II（i9100）、Galaxy Note和魅族MX等。
2011年9月发布的Exynos 4212在Exynos 4210的基础上再加改进：首先制程变为32nm，比起之前的45nm能够节省超过50%的能源。而且虽然同样为Cortex-A9架构，但Exynos 4212主频升至1.5GHz，比起4210更为强劲，3D性能约为后者的2倍，可用在手机及平板电脑上。
2012年初，三星正式推出了自家的首款四核移动处理器Exynos 4412。这款新Exynos四核处理器，拥有32nm HKMG（高K金属栅极技术）制程，支持双通道LPDDR2 1066。新的32nm HKMG技术可以帮助降低功耗，按照官方的说法，和其前代比会减低20% 的功耗。三星Exynos 4412四核处理器仍然集成Mali-400MP图形处理器，但三星公司已将这颗图形处理器主频由此前的266MHz提升至400MHz，新闻稿指出会比现有的双核机型整体性能提升60%，图像处理提升 50%。2012年5月，首款采用Exynos 4412处理器的智能手机三星Galaxy S III正式上市，以及于6月上市的魅族MX四核版和12月上市的纽曼N2。

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率 (GHz)
Exynos 4 Dual 45 nm
(Exynos 4210)[7]		 45 nm ARMv7 Cortex-A921.2
或
1.4		 Mali-400MP4 @ 266 MHz; 10.64 GFLOPS LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)[8] 2011 1.2 GHz:
Samsung Galaxy S II, Samsung Galaxy Tab 7.0 Plus

1.4 GHz:

Samsung Galaxy Note, Samsung Galaxy Tab 7.7, Hardkernel ODROID-A, Meizu MX 双核版, Cotton Candy by FXI Tech, ORIGEN 4 Dual[9]
Exynos 4 Dual 32 nm
(Exynos 4212)[7]		 32 nm HKMG Cortex-A921.5 Mali-400MP4[10] (quad-core) @ 400 MHz; 16 GFLOPS LPDDR2, LPDDR3 or DDR3 (6.4 GB/sec)[11] 2011 Meizu MX 2-Core (new 2-core model), Samsung Galaxy Tab 3 8.0,[12] Samsung Galaxy S4 zoom
Exynos 4 Quad[13]
(Exynos 4412)[14]		 32 nm HKMG Cortex-A941.4 ARM Mali-400MP4[15] (quad-core) @ 440 MHz ; 17.6 GFLOPS 32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)[16] 2012 [17] Samsung Galaxy Note 10.1, Samsung Galaxy Camera, Lenovo K860, 纽曼N2, Ramos W30HD, Meizu MX 四核版, Hardkernel ODROID-X,[18] ODROID-U,[19] ODROID-Q,[20] ORIGEN 4 Quad,[9] Hyundai T7 Tablet, Samsung Galaxy Pop, Samsung Galaxy Light, Lenovo P700i
Exynos 4 Quad[13]
(Exynos 4412 Prime)[14]		 32 nm HKMG Cortex-A941.6 ARM Mali-400MP4[15] (quad-core) @ 533 MHz; 21.32 GFLOPS 32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)[13] 2012 Samsung Galaxy S III, Samsung Galaxy Note II, Meizu MX2, Samsung Galaxy Note 8.0, Samsung Galaxy NX, iberry Auxus CoreX4 3G,[21][22] Hardkernel ODROID-U2,[23] ODROID-X2,[24] ODROID-Q2,[25] Samsung Galaxy Camera 2

Exynos 5系列
三星電子的 Exynos 5250

2011年11月30日，三星電子发布主频高达2GHz的Exynos5250系统芯片，它采用双核Cortex-A15构架，主频高达2GHz，性能十分强劲。
三星電子Exynos5250是业界首款采用ARM新双核Cortex-A15处理器架构设计的产品。Exynos5250将比1.5GHz的Cortex-A9性能快两倍左右。三星電子表示，Exynos5250将采用32nm制造工艺，和现有Cortex-A9相比，Exynos5250的3D性能将获得极大提升，比如在某些情况下3D性能提升达4倍之多。另外，三星電子也表示，Exynos5250将支持立体3D显示，它也支持WQXGA 2560x1600分辨率，使其成为理想的下一代智能手机处理器。三星Exynos5250芯片已经开始向相关厂商提供样品，计划在2012年第二季度大批量出货。
在前年2011年11月底，三星发布了一款型号为Exynos 5250的新型处理器，如今，来自国外媒体的最新消息显示，三星将推出一款型号为Exynos 5450的处理器，相比Exynos 5250其性能更强。随着三星四核心新旗舰三星Galaxy S4的不断曝光，该机所使用的处理器也成为了人们猜测的重点。如果传言属实的话，那么这块Exynos 5450处理器将以速度最快、功耗最低的特征赢得更多人青睐。
据悉，三星本打算将Exynos 5250芯片植入旗下的智能手机和平板电脑，但听说LG开始自主研发更强劲的四核处理器之后，这也就迫使三星電子不得不放弃最初的想法。三星于2013年中旬推出这款三星Galaxy S4，该机将采用5英寸Super AMOLED全高清显示屏，该机将采用三星電子自家生产研发的芯片型号Exynos 5410。

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率 (GHz)
Exynos 5 Dual[26]
(Exynos 5250)[27]		 32 nm HKMG ARMv7 Cortex-A1521.7 ARM Mali-T604MP4[28] @ 533 MHz; 68.224 GFLOPS 32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3/DDR3 (12.8 GB/sec) or 533 MHz LPDDR2 (8.5 GB/sec) 2012年第三季度[27] Samsung Chromebook XE303C12,[29] Google Nexus 10, Arndale Board,[30] Huins ACHRO 5250 Exynos,[31] Freelander PD800 HD,[32] Voyo A15, HP Chromebook 11, Samsung Homesync
Exynos 5 Octa[33][34][35]
(Exynos 5410)		 28 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7[36]
big.LITTLE[37]		4+41.6–
1.2		 IT PowerVR SGX544MP3 @ 480 MHz 49 GFLOPS (532 MHz in some full-screen apps)[38] 32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec) 2013年第二季度 Samsung Galaxy S4 I9500,[39][40] Hardkernel ODROID-XU,[41] Meizu MX3, ZTE Grand S II TD, iBerry CoreX8 3G
Exynos 5 Octa[42]
(Exynos 5420)		 28 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7
(big.LITTLE with GTS)		4+41.8–1.9
或
1.3		 ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz; 109 GFLOPS 32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3e (14.9 GB/sec) 2013年第三季度 Samsung Chromebook 2 11.6",[43] Samsung Galaxy Note 3,[44] Samsung Galaxy Note 10.1 (2014 Edition), Samsung Galaxy Note Pro 12.2, Samsung Galaxy Tab Pro (12.2 & 10.1), Samsung Galaxy Tab S 8.4, Samsung Galaxy Tab S 10.5, Arndale Octa Board
Exynos 5 Octa[45]
(Exynos 5422)		 28 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7
(big.LITTLE with GTS)		4+41.9-2.1
1.3–1.5		 ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz (109 Gflops) 32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec) 2014年第二季度 Samsung Galaxy S5 (SM-G900H),[46] Odroid XU3/XU3-Lite
Exynos 5 Hexa[47]
(Exynos 5260)		 28 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7
(big.LITTLE with GTS)		2+41.7–
1.3		 ARM Mali-T624 MP2@ 600 MHz 32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec) 2014年第二季度 Ramos S97, Galaxy Note 3 Neo (announced January, 31st 2014), Samsung Galaxy K zoom
Exynos 5 Octa[48]
(Exynos 5430)		 20 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7 (big.LITTLE with GTS)		4+41.8–2.0
或
1.3–1.5		 ARM Mali-T628 MP6 @ 600 MHz; 122 GFLOPS 32-bit dual-channel 1066 MHz LPDDR3e/DDR3 (17.0 GB/sec) 2014年第三季度 Samsung Galaxy Alpha（SM-G850F）, Meizu MX4 Pro，Samsung Galaxy A8（SM-A800F）
Exynos 5 Octa[49]
(Exynos 5800)		 28 nm HKMG Cortex-A15+
Cortex-A7
(big.LITTLE with GTS)		4+42.1–
1.3		 ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz 32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec) 2014年第二季度 Samsung Chromebook 2 13,3"[50]

Exynos 7系列

2014年下季度，三星在Exynos官网上公布了Exynos 7 Octa处理器，它是一款64位八核处理器，采用四核Cortex-A57+四核Cortex-A53组成的big.LITTLE架构，配合Mali-T760图形处理器，整体和Exynos 5433比较接近。Exynos 7 Octa支持HMP（异构多处理）技术，即可以“八核全开”，相对于Exynos 5 Octa（不包括Exynos 5433）将带来57%的CPU性能提升，Exynos 7 Octa支持三星20nm HKMG工艺。支持脸部甚至眼部识别技术。Exynos 7 Octa支持H.265（HEVC）硬件解码，支持WQHD（2560*1440）和WQXGA（2560*1600）分辨率的输出。并搭载双ISP，后置支持最高1600万（“5K”级别了）像素30帧视频，前置支持最高500万像素30帧视频。Exynos 7 Octa使用Mali-T760系列图形处理器，将带来74%的性能提升，如果这是相对于Exynos 5430上的Mali-T628 MP6的提升的话，这样的GPU性能将会比Exynos 5433还要强得多。

Exynos 7 Octa最初共有两款型号：Exynos 7410和Exynos 7420，两款芯片均为64位CPU。7410采用20nm工艺并支持big.LITTLE GTS技术；7420采用更先进的 14nm FinFET工艺，性能更强。Exynos 7885 為 Exynos 7880的強化版，CPU方面從原本8個A53小核提升到2個A73大核和6個A53小核，GPU方面也提升到較新的Mali-G71MP2。基帶方面支持Cat.11標準，理論下載速度提升到600Mbps，上傳150Mbps。Exynos9610被歸類在Exynos7系列，規格又比Exynos 7885再提升一些。

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率 (GHz)
Exynos 7 Octa[51][52]
(Exynos 5433/7410)[53]		 20 nm HKMG ARMv8-A Cortex-A57+
Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)		4+41.9–
1.3		 Mali-T760 MP6 @ 700 MHz; 206 GFLOPS (FP16)[54] 32-bits dual-channel 825 MHz LPDDR3 (13.2 GB/s)[51] 2014年第四季度 Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910C) Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910U) Samsung Galaxy Note Edge Korea version (SM-N915S) (SM-N915K) (SM-N915L)、Samsung Galaxy A8 (SM-A800IZ)[55]
Exynos 7 Octa
(Exynos 7420)		 14 nm
FinFET		 Cortex-A57+
Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)		4+42.1–
1.5		 Mali-T760 MP8 @ 772 MHz 32-bit dual-channel 1552 MHz LPDDR4 (24.88 GB/s) 2015年第一季度 Samsung Galaxy S6、Samsung Galaxy S6 edge、Samsung Galaxy S6 Edge Plus、Samsung Galaxy Note 5、Meizu Pro 5、Samsung Galaxy A8 (2016)[56]
Exynos 7 Quad
(Exynos 7570)[57]		 14 nm
FinFET		 Cortex-A53 4 1.4 Mali-T720 MP1 LPDDR3 2016年第三季度 Samsung Galaxy J3 Pro、Samsung Galaxy J4、Samsung Galaxy J6+
Exynos 7 Octa
(Exynos 7580)[58]		 28 nm
HKMG		 Cortex-A5381.6 Mali-T720 MP2 @ 600 MHz 64-bit (2x32-bit) dual-channel 933 MHz LPDDR3 2015年第二季度 Samsung Galaxy J7、Samsung Galaxy S5 Neo、Samsung Galaxy View[59]、Samsung Galaxy A5 (2016)、Samsung Galaxy A7 (2016)
Exynos 7 Octa
(Exynos 7870)[60]		 14 nm

LPP

 Cortex-A53 8 1.7 Mali-T830 MP2 @ 700Mhz 32-bit Single-channel 933 MHz

LPDDR3

 2016年第一季度 Samsung Galaxy J7(2016)[61]、Samsung Galaxy J7 Prime、SAMSUNG Galaxy J7 Pro[62]、Samsung Galaxy A3(2017)[63]、Samsung Galaxy A6 (2018)、Samsung Galaxy J6
Exynos 5 Hexa

(Exynos 7872)[64]

 14 nm

LPP

 Cortex-A73+
Cortex-A53		 2+4 2.0-1.6 Mali-G71 MP1

@ 1.2Ghz

 64-bit (2x32-bit) dual-channel

LPDDR3

2018年第一季度 Meizu M6s (魅族 魅藍S6)[65]
Exynos 7 Octa

(Exynos 7880)[66]

 14nm

LPP

 Cortex-A53 8 1.87 Mali-T830 MP3 @ 950Mhz 64-bit (2x32-bit) dual-channel 1033MHz LPDDR3 (14.9 GB/sec) 2016年 Samsung Galaxy A7(2017)[67]、Samsung Galaxy A5(2017)[68]
Exynos 7 Octa

(Exynos 7885)[69]

 14nm Cortex-A73+
Cortex-A53		 2+6 2.2-1.6 Mali-G71 MP2 64-bit (2×32-bit) Dual-channel

LPDDR4X

 2018年第一季度 Samsung Galaxy A8(2018)[70]、SAMSUNG Galaxy A7 (2018)[71]、Samsung Galaxy A8+(2018)[72]
Exynos 7 Series

(Exynos 9610)[73]

 10nm FinFET Cortex-A73+
Cortex-A53		 4+4 2.3-1.7 Mali-G72 MP3 64-bit (2×32-bit) Dual-channel

LPDDR4X

 ? Samsung Galaxy A50[74]

Exynos 800系列

2015年11月11日，三星在Exynos官网上正式公布新一代旗舰处理器Exynos 8890的部分资料。14mm FinFET LPP工艺制造，八核心big.LITTLE架构设计，首次采用四个自主定制的大核心（代号“猫鼬”的Samsung Mongoose，或称Samsung Exynos M1）+四个Cortex A53小核心，算是半自主架构。相比上一代Exynos 7420，性能提升30%以上，功耗降低10%[75]。核心频率方面没有公布，GPU為Mali-T880，但后缀是“MP12”，开了12个核心（完整16个），性能自然有大幅度提升。基带方面与Snapdragon 820一样，支持Cat.12/Cat.13标准，理论下载速度提升到600Mbps，上传150Mbps。[76]

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率(GHz)
Exynos 8 Octa
Exynos M1[77]
(Exynos 8890)		 14 nm
FinFET		 ARMv8-A Exynos M1+
Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)
[註 1][75]		4+42.3–
1.6		 Mali-T880 MP12 @ 664,4 GFLOPS (FP16)
Mali-T880 MP14（高级版）[76][77]

Mali-T880 MP10 (Meizu Pro6 Plus 64GB Version)[78]

 64-bit dual-channel LPDDR4 2016年第一季度 Samsung Galaxy S7/S7 Edge/Note FE (國際版、韓版)

Samsung Galaxy Note 7(停產) Meizu PRO6 Plus(64GB版為Mali-T880MP10 128GB版為Mali-T880MP12)[78]

Exynos 880[79] 8nm LPP Cortex-A77 + Cortex-A55 2 + 6 2.0-1.8 Mali-G76 MP5 LPDDR4X 2020 Q2 vivo Y51s、vivo Y70s

Exynos 900系列

2017年2月，三星在Exynos官網上正式公布新一代旗舰处理器Exynos 8895的部分资料，並納入Exynos9系列。10nm FinFET LPE工艺制造，八核心big.LITTLE架构设计，仍然採用四个自主定制的大核心Exynos M2 +四个Cortex A53小核心，算是半自主架构。相比上一代Exynos 8890，性能提升27%以上，功耗降低40%。核心频率方面没有公布，GPU為Mali-G71，但后缀是“MP20”，开了20个核心（完整32个），跟上一代比較，性能提升60%以上。基带方面与Snapdragon 835一样，支持Cat.13/Cat.16标准，理论下载速度提升到1Gbps，上传150Mbps。[80][81]

SoCCPUGPU内存技术供货时间应用装置
型号 制程 指令集 架构 核心 频率(GHz)
Exynos 9 Octa
Exynos M2
(Exynos 8895)[82]		 10 nm
FinFET
LPE		 ARM架構 Exynos M2 +Cortex-A534+42.3-1.7
[83]		 Mali-G71 MP20 64-bit dual-channel LPDDR4X 2017年第一季度 三星Galaxy S8/S8+/Note 8 (國際版、韓版)、Meizu 15 Plus[84]
Exynos 9 Series

Exynos M3
(Exynos 9810)[85][86]

 10 nm
FinFET LPP		 ARMv8.2-A Exynos M3 +Cortex-A55 4+4 2.9-1.9 Mali-G72 MP18 64-bit dual-channel LPDDR4X 2018年第一季度 三星Galaxy S9/S9+ (國際版、韓版)、三星Galaxy Note 9、三星Galaxy Note10 Lite
Exynos 9 Series 9820[87] 8nm LPP Exynos M4 (2 Cores) + Cortex-A75 (2 Cores) + Cortex-A55 (4 Cores) 2+2+4 2.7-1.9[88][81] Mali-G76 MP12 @ 702 Mhz 64-bit (4×16-bit) Quad-channel LPDDR4X 2019年Q1 三星Galaxy S10/S10+（國際版、韓版）
Exynos 9 Series 9825[89] 7nm LPP EUV 2.7-1.9[90] Mali-G76 MP12 @ 754 Mhz[91] 2019年Q3 三星Galaxy Note 10/10+（韓國、國際版本和5G版本）
Exynos 980[92] 8nm LPP ARM Cortex-A77 + Cortex-A55 2 + 6 2.2-1.8 Mali G76 MP5 LPDDR4X 2019年Q4 vivo X30、vivo X30 Pro、三星Galaxy A71 5G、vivo S6
Exynos 990[93] 7nm LPP(EUV) Exynos M5 +
ARM Cortex-A76 + Cortex-A55		 2+2+4 Mali G77 MP11 LPDDR5 2020年Q1 三星Galaxy S20、三星Galaxy S20+、三星Galaxy S20 Ultra

Exynos 1000系列

Exynos 10系列於2020年11月12日發佈[94]。

SoC 中央处理器 (ARM架構) GPU 内存技術 人工智能加速器 Modem 連接性 發佈時間 應用裝置
型號 半導體製程 裸晶 Size (mm2) µarch 頻率(赫兹) Performance GFLOPS (FP32) Type Bus width (位元) 電腦裝置頻寬列表 (吉字节/s)
Exynos 1080[95] 5纳米 LPE (EUV) 1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz ARM Cortex-A78 + 2.6 GHz Cortex-A78 + 2.0 GHz Cortex-A55) Mali G78 MP10 LPDDR4X
LPDDR5		 LTE DL: Cat.18 1200 Mbit/s, 6CA, 256-QAM

UL: Cat.18 200 Mbit/s, 2CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.28Gbit/s

5G NR mmWave DL: 3.67Gbit/s UL: 3.67Gbit/s

 Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax 2020 Q4 vivo X60/vivo X60 Pro、vivo X70 Pro

Exynos 2000系列

Exynos 2000系列於2021年1月12日發佈。[96]

SoC 中央处理器 (ARM架構) GPU 内存技術 人工智能加速器 Modem 連接性 發佈時間 應用裝置
型號 半導體製程 裸晶 Size (mm2) µarch 頻率(赫兹) Performance GFLOPS (FP32) Type Bus width (位元) 電腦裝置頻寬列表 (吉字节/s)
Exynos 2100[97] 5nm

LPE (EUV)

 1 + 3 + 4 cores (2.9 GHz Cortex-X1 + 2.8 GHz Cortex-A78 + 2.2 GHz Cortex-A55) Mali G78 MP14 854 1530 LPDDR5 64-bit (4×16-bit)

四通道

 3200 MHz (51.2GB/s) Triple NPU + DSP

(26 TOPs)

 LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM

UL: Cat.18 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.92Gbit/s

5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s
Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax
 Q1 2021
  • Samsung Galaxy S21
  • Samsung Galaxy S21+
  • Samsung Galaxy S21 Ultra
Exynos 2200 (S5E9925)[98] 4 nm (4LPE) (EUV) 99.9[99] 1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz Cortex-X2 + 2.5 GHz Cortex-A710 + 1.8 GHz Cortex-A510) Samsung Xclipse 920 (RDNA 2) 1306 1003 Dual NPU + DSP LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM

UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 2.55Gbit/s

5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s

 Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax Q1 2022
列表
    • Samsung Galaxy S22
    • Samsung Galaxy S22+
    • Samsung Galaxy S22 Ultra
Exynos 2400 (S5E9945)[100][101] 4 nm (4LPP+) (EUV) 1 + 2 + 3 + 4 cores (3.2 GHz Cortex-X4 + 2.9 GHz Cortex-A720 + 2.6 GHz Cortex-A720 + 1.95 GHz Cortex-A520) Xclipse 940
(RDNA 3)
768:48:32:12
6 WGP)		 1109 3,407 LPDDR5X 17K MAC NPU(2-GNPU+2-SNPU)和DSP + DSP[102] LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM

UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM

5G NR Sub-6 GHz DL: 9.64 Gbit/s UL: 2.55 Gbit/s

5G NR mmWave DL: 12.1 Gbit/s UL: 3.67 Gbit/s

 Q1 2024
列表
    • 三星Galaxy S24
    • 三星Galaxy S24+

外部連結

注释
  1. SCI为“Samsung Coherent Interconnect”

参考资料
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