分子束外延

分子束外延于高真空或超高真空（，10⁻⁸帕斯卡）的环境进行。分子束外延最重要的方面是其低沉积率，通常使薄膜以每小时低于3000纳米的速度磊晶生长。如此低的沉积率要求真空程度足够高，以达到其他沉积方式同等级别的洁净程度。

在固体源的分子束外延过程中，诸如镓、砷的元素，会以超纯（）的形式在独立的石英克努森容器（）中被加热，直到它们开始缓慢升华。然后，这些气态物质在晶圆上凝结，而且它们在那里互相作用。以镓和砷为例，上述作用可以产生单晶砷化镓。术语“（分子）束”的意思是过程中的气体原子并不产生相互作用，也不与真空室物质反应，除非它们接触到晶圆。这是因为这些气体具有较长的平均自由程。

外延过程中，反射式高能电子衍射（，縮寫：RHEED）经常被用来检测晶体层次生长的进程。计算机能够控制反应室前方的一个“阀门”，从而实现对每个层次的精确控制，其精确度可以达到单层原子。不同材料层次的精细结构可以通过这种方式产生。此种控制方式可以把电子束缚在一定空间里，产生量子阱（）和量子点（）。上述的“层”对于很多现代的半导体器件十分关键，包括激光二极管和发光二极管。

有的系统需要冷却底层。生长室的超高真空环境必须使用一个低温泵（）来维持，而液氮或低温氮气可以使内部温度冷却到77开尔文（−196摄氏度）[註 1]。低温环境可以进一步降低真空中杂质的含量，为沉积薄膜提供更好的条件。在其他系统里，晶体生长的晶圆可能会被安装在一个旋转的圆盘上，这个圆盘可以被加热到几百摄氏度。

分子束外延也曾被用于某些种类有机半导体（）的沉积过程。在上述的情况中，被气化、然后在晶圆沉积的是材料的有机分子而非原子。其他的分支还包括气态源分子束外延（）[2]，这一方式与化学气相沉积（）类似。

最新的分子束外延技术还在新型电子器件制造、电磁应用、光学应用等领域中，被用于氧化物材料的沉积。为了实现这些目的，分子束外延系统必须进行改进，从而能够与氧源协同作用。[3]

ATG不稳定性，全称阿萨罗-蒂勒-格林菲尔德不稳定性（），或简称为格林菲尔德不稳定性，是分子束外延过程中经常遇到的一种弹性不稳定状况。假设生长的薄膜和支撑晶体的晶格尺寸错位（），弹性能量将会在生长的薄膜上积累。当其达到一定的转折量时，薄膜可以通过分裂为几个孤立块的方式，使自由能量的数值降低，这样积累的张力就可以得以释放。上述的“转折量”的数值取决于材料的杨氏模量（）、错位的尺寸以及表面张力。

已经有不少关于ATG不稳定性在应用方面的研究正在进行，例如量子点的自组装（）[4]。

注釋

引用

文献

• 
  儀器圖
• 
  腔內運作示意圖
• 
  儀器系統圖

维基共享资源上的相关多媒体资源：分子束外延

• （简体中文）中国科学院半导体研究所关于分子束外延技术的介绍
• （英文）Silicon and germanium nanowires by molecular beam epitaxy （页面存档备份，存于）
• （英文）University of Texas MBE group
• （英文）Physics of Thin Films: Molecular Beam Epitaxy (class notes)
• （英文）SIMULATION OF MOLECULAR BEAM HOMOEPITAXIAL GROWTH OF GAAS （页面存档备份，存于） - uiuc