四甲基氢氧化铵

TMAH的市售品以水溶液、甲醇溶液和五水合物为主，溶液浓度常见于25%。它可以结晶出多种水合物N(CH₃)₄OH·xH₂O，这些盐的特点是分离良好的Me₄N⁺阳离子和氢氧根阴离子。氢氧化物基团通过氢键与结晶水相连。尚未分离出无水TMAH。

四甲基氢氧化铵和其它碱一样，可以发生酸碱中和反应。例如它和氢氟酸反应，生成四甲基氟化铵：[2]

NMe₄⁺OH⁻ + HF → NMe₄⁺F⁻ + H₂O

它在溶液中可以和铵盐发生复分解反应，该反应由氨逸出反应体系推动进行。[3]例如它和硫氰酸铵反应，可以制得四甲基硫氰酸铵：

NMe₄⁺OH⁻ + NH₄⁺SCN⁻ → NMe₄⁺SCN⁻ + NH₃ + H₂O

它受热可以分解，[4]二甲醚是主要产物（而非甲醇）。[5]

2 NMe₄⁺OH⁻ → 2 NMe₃ + MeOMe + H₂O

四甲基氢氧化铵在水中解离出[(CH₃)₄N]⁺和OH⁻，其阳离子可被人体吸收，具有经皮急性毒性，接触可致死。目前沒有解毒劑。[6]

TMAH的工业用途之一是半導體製造中用于硅的各向异性蚀刻，在光刻工艺中作为碱性溶剂开发酸性光刻胶，对剥离光刻胶有很好的效果。 TMAH具有一定的相转移催化剂性能，在铁流体的合成中作为表面活性剂，抑制纳米粒子的聚集。

TMAH是目前最常用的试剂，用于热化学裂解，热化学裂解是一种同时涉及热解和化学衍生分析物的分析技术。

TMAH属于季铵氢氧化物(QAH)溶液家族，通常用于对硅进行各向异性蚀刻。典型的蚀刻温度在70～90℃之间，典型的浓度为5～25wt% TMAH在水中的含量。(100)硅的蚀刻速率一般随着温度和TMAH浓度的增加而增加。蚀刻后的硅(100)表面粗糙度随TMAH浓度的增加而降低，用20%的TMAH溶液可以得到光滑的表面。蚀刻速率通常在每分钟0.1-1微米范围内。

在TMAH中进行长时间蚀刻的常用遮蔽材料包括二氧化硅（LPCVD和热）和氮化硅。氮化硅在TMAH中的蚀刻速率可以忽略不计；二氧化硅在TMAH中的蚀刻速率随薄膜质量而变化，但一般在0.1纳米/分钟左右。