比恩模型
假设
比恩模型考虑的是较强的磁通钉扎导致涡旋静止不动的情况。若施加一个均匀的外部磁场,比恩模型假设超导体内部的磁场强度会随着深度增加呈线性递减,斜率为4πJc/c(高斯单位制下)[3],其中Jc为临界电流密度。此电流代表的是为了抵抗外界磁场而在超导体内部感应出的电流。临界电流的值在比恩模型中只能取三种值:+Jc、-Jc或0。临界磁场H*被定义为恰好完全消除超导体内部迈斯纳相(即磁场为零的区域)所需的外加磁场。当外加磁场 H < H*,超导体未被外部磁场穿透的部分保持迈斯纳相,中心部分的磁场强度为零(右图中的红线)。当 H = H*,外部磁场正好完全穿透超导体,内部磁场分布如右图的橙线所示。继续在同一方向增加磁场强度并不会改变场强和深度的线性关系,而只会将其整体平移(右图的黄线);有人将其与沙堆(sandpile)进行类比[4][5]:对于一个沙堆,若沙堆的坡度达到了一个“临界值”,继续向上堆沙子不会增加沙堆的坡度(若坡度继续增加,则沙堆可能会因为不稳定而崩塌),而只增加整体的高度。基于这种“临界”的想法,比恩模型有时也会被称作“比恩临界态模型”(Bean's critical state model)。
若撤去外加磁场,超导体的内部将留下剩磁。在逐渐减小正向磁场至零后渐渐增大反向磁场的过程中,超导体内部可以被划分为两个区域(右图中的绿线):靠近中心的区域的磁场梯度和撤去外场前保持一致,而靠近边缘的磁场梯度与其符号相反,大小一致。这是因为靠近中心的临界电流和靠近边缘的临界电流大小相等(均为Jc),方向相反。在反向磁场的强度增大到临界磁场H*以上(H = -H* 和 H < -H*)时,超导体内部再次只剩下一种临界态,磁场和临界电流的方向与之前 H = H* 时的方向正好相反(右图中的蓝线和紫线)。[6]
比恩模型的推广
虽然比恩假设临界电流密度Jc为常数(即 H << Hc2 的条件下),但这只是一个比较粗略的估计。假设不同的临界电流密度可以在其他条件下得到更为精确的结果。例如,Kim 等人通过假设 1/J(H) 正比于 H 对比恩模型进行推广[7],其理论计算结果与 Nb3Sn 的测量结果相比极为吻合。另外,计算磁化强度时,样品不同的几何形状也是必须考虑的一点[8]。
参考资料
- Bean, C. P. . Physical Review Letters. 1962-03-15, 8 (6): 250–253. doi:10.1103/PhysRevLett.8.250.
- BEAN, CHARLES P. . Reviews of Modern Physics. 1964-01-01, 36 (1): 31–39. doi:10.1103/RevModPhys.36.31.
- Tinkham, Michael. 2nd ed. Mineola, NY: Dover Publications. 2004: 178. ISBN 0486435032.
- Tang, Chao. . Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 1993-03, 194 (1-4): 315–320. doi:10.1016/0378-4371(93)90364-A.
- Bonabeau, Eric; Lederer, Pascal. . Physica C: Superconductivity. 1994-12,. 235-240: 2917–2918. doi:10.1016/0921-4534(94)90985-7.
- Charles P. Poole, Jr.; Horacio A. Farach; Richard J. Creswick; Ruslan Prozorov. (PDF) 2nd. Amsterdam: Academic Press. 2007: 385-406. ISBN 9780120887613.
- Kim, Y. B.; Hempstead, C. F.; Strnad, A. R. . Physical Review. 1963-01-15, 129 (2): 528–535. doi:10.1103/PhysRev.129.528.
- Schülke, W. . Kristall und Technik. 1973, 8 (8): K44–K45. doi:10.1002/crat.19730080819.