磷化銦

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。

磷化銦
别名 Indium(III) phosphide
识别
CAS号 22398-80-7  checkY
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
 
  • [In]#P
InChI
 
  • 1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式 InP
145.792 g·mol⁻¹
外观 黑色立方晶體
密度 4.81 g/cm3（固體時）
熔点 1062 °C（1335 K）
溶解性 微溶於酸[1]
能隙 1.344(300 K，直接帶隙) eV
电子迁移率 5400 cm2/(V·s) (300 K)
熱導率 0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n
D		 3.1 (紅外線);
3.55 (632.8 nm)[2]
结构
晶体结构 閃鋅礦結構
晶格常数 a = 5.8687 Å [3]
配位几何 四面體
热力学
ΔfHm⦵298K -88.7 kJ/mol
S⦵298K 59.8 J/(mol·K)
热容 45.4 J/(mol·K)[4]
危险性
MSDS External MSDS
欧盟编号 未列出
主要危害 有毒，會水解為磷化氢
相关物质
其他阴离子 氮化銦
砷化銦
銻化銦
其他阳离子 磷化鋁
磷化鎵
相关化学品 磷化銦鎵
磷化鋁鎵銦
砷銻磷化鎵銦
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

製備

磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備[5]。

用途

磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學

在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學声子[6]。

參考資料
  1. Template:Citation book
  2. Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, , Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
  3. . [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
  4. Template:Citation book
  5. . [2020-09-15]. （原始内容存档于2016-01-06）.
  6. Bouarissa, Nadir. . Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.

外部連結
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