零电容随机存储器
零电容随机存储器(英語:,缩写:)是一种新型的动态随机存取存储器,是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应()研发的。该技术已经被超微半导体(AMD)许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器(SRAM,常在快取中应用)相似的存取速度,但是只使用了单一晶体管,因此能够提供更高的封装密度。
RAM |
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发展中 |
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历史上 |
ROM |
非揮發性隨機存取記憶體 |
早期 |
磁式 |
光學式 |
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外部链接
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